Wolfspeed发布新一代技术 推出业界最低导通电阻的碳化硅MOSFET

盖世汽车讯 2026年6月9日，碳化硅（SiC）半导体制造商‌Wolfspeed宣布推出第五代技术，将为下一代1200 V和750 V汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。

图片来源：Wolfspeed

Wolfspeed首席商务官Cengiz Balkas博士表示：“凭借先前第四代（Gen 4）技术，Wolfspeed实现了客户所需的开关性能突破，而在不到两年后的今天，我们推出了第五代（Gen 5）技术，使得工程师们能够在5×5mm的SiC封装内获得尽可能高的电流。最让我兴奋的不仅仅是我们的创新节奏，更是这项技术为客户带来的可能性：助力加速打造针对实际工况条件的更智能、更高效且小型化的系统方案。”

汽车原始设备制造商（OEM）持续面临实现电气化目标的压力，而车辆成本、安全性、续航里程和充电基础设施的配套完备度依然是阻碍消费者更大范围采用电动汽车的障碍。Wolfspeed Gen 5技术旨在全面解决这些障碍，并为比导通电阻（RSP）——衡量MOSFET有源芯片面积效率的核心品质因数——树立了新的标杆。Gen 5产品使得系统架构师能够设计更紧凑的牵引逆变器，提高单次充电的续航里程，从而优化昂贵的电动汽车电池配置。同时，此技术用固态断路器替代传统机械继电器，为SiC开辟了新的应用机会，并为电动汽车充电基础设施设立了新的效率标准。